MOS管：臭名昭著的米勒效应

之前文章有介绍过MOS管的重要特性，其中有一个就是损耗特性；

欣欣向荣：MOS管：主要参数和重要特性82 赞同 · 3 评论文章

除了本身的RDS阻抗外，另一个就是因为MOS管的米勒效应，尤其在高频开关电路中，延长开关频率、增加功耗、降低系统稳定性，可谓是臭名昭著，各大厂商都在不遗余力的减少米勒电容。

米勒效应

MOS管的三极都会存在以下三个电容，分别是：Cgs，Cgd，Cds，米勒电容指的是Cgd。

由MOS管的米勒电容引发的米勒效应：在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值（图中t2~t3阶段），过后Vgs电压又开始上升直至完全导通。

米勒效应阻止Vgs电压上升，使得导通时间变长，损耗剧增。

为什么会有米勒平台，我们看下mos开通过程如下图所示：

1) T0时刻：Vgs为0时，Vd>Vg，Cgd基本充满电，右正左负；

2) T0~T1时刻：Vgs开始上升，Ig电流主要给Cgs充电，当Vgs达到阈值电压Vth时

（T1时刻），mos开始导通，Vds开始下降；

3) T1~T2时刻：Vgs继续上升，给Cgs充电，Vds继续下降（下降较小），当Vgs达到米

勒平台电压Va，开始进入米勒平台；

4) T2~T3时刻：T2时刻开始，随着Vd下降，Vd＜Vg，驱动电流主要开始反向给Cgd充电，所以这段时间，看起来Vgs没有增加。这段时间就是米勒平台。

5) T2~T3时刻，随着Cgd逐渐充满，mos管完全导通，Vgs继续增加，直到最高的驱动电平Vg。

实际测试发现如下图所示：

弥勒平台用于缓启电路

虽然米勒平台在高频开关状态臭名昭著，但是在电源缓启动中有很大的用处。

我们通过上图可以看到，MOS两端电压Vds的下降区间，大部分都在米勒平台之间完成，如果人为的增加米勒电容Cgd，可以达到延长Vds的下降时间，也就可以利用MOS做开关，做电源的缓启动，在热拔插、独立模块供电、大功率设备上电，都有很好的益处。

具体的做法就是增加MOS管的米勒电容Cgd。

如下图是使用PMOS，串联在电源正极，主要是利用R1和C3的RC充放电原理图和米勒平台做缓启动。

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