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首先，关于 22nm、32nm……这些数值的意义。
这是「国际半导体技术蓝图（ITRS）」[1] 用来划分半导体制程技术工艺代的节点数值。对此我在另一问题的回答中[2] 有详细解释，可供参考。
概括来说，它描述了该工艺代下加工尺度的精确度。它并非指半导体器件中某一具体结构的特征尺寸，而是一类可以反映出加工精度的尺寸的平均值。比如，在 DRAM 存储单元中，该数值与两条金属线最小允许间距的一半相等；在模拟电路的 MOSFET 中，它可能与最小允许的沟道长度相等。
然后，关于新的先进工艺代的发展意味着什么。
最直观地，它反映出：集成电路通过微电子制造工艺加工生产能达到更大的集成密度——
在相同的面积中，有可能容纳更复杂的电路系统，同样功能的电路须占用的体积可能会更少；
对同一电路系统，由于集成度的提高、信号物理路径的缩短，可能达到更大的运行速率；对于数字电路来说，实现相同计算功能所须的能耗可以更低；当然未必一定是优点，某些电路模块的功能或许就是提供大功率，它们的设计难度反而会增加。新的加工工艺可能会在半导体材料中引入新的电学特性，由此可能会引出全新的设计方法；其他等等……其他一些可能性：
在消费领域，当工业界上线新的工艺代后，意味着原先工艺代的产品将会降价，同时同类产品的性能将跃迁入一个新的层次——业界常常称这种现象叫「摩尔定律」；
由于微电子制程技术目前尚依赖「光刻」[3] 技术，而光刻的分辨率仍是有极限的，这也意味着，当工艺代进一步推进、尺寸进一步缩小时，也不得不思考未来加工工艺的发展方向和具体技术上的实现办法。—-
[1] http://www.itrs.net/
[2] http://www.zhihu.com/question/19772738/answer/13227570
[3] http://en.wikipedia.org/wiki/Photolithography
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