阈值电压那点事续续

昨儿联系实际延伸一点，但离实际还是有点距离，心有不甘，再续一篇，希望有用。

阈值电压公式如下，上篇已对各项进行了说明。需要注意的是，公式中没有出现电流。

而在实际中，阈值电压如下，测试条件为IC=18mA，VCE=VGE，Tj=25℃。

这可咋整呢？！为何会出现这种差异呢？！小江试着巴拉巴拉，希望给客官们一点启示。

阈值电压公式是基于物理模型推导所得，在实际中，通常采用JEDEC标准，对阈值电压进行定义。

根据JEDEC规定（JEDEC 14.2.2 Hot Carrier Working Group，1995），有两种计算阈值电压的方法：

A、Constant current threshold voltage(VT(Ci))，恒定电流法，其定义方法为：

B、Extrapolated threshold voltage(VT(ext))，跨导外推法，其定义方法为：

实际中，通常采用方法A。

阈值电压与转移特性曲线相关。阈值电压为“点”，转移特性为“线”。

小结：

1、阈值电压公式分理论公式（物理模型）和实际公式（特性描述）两种；

2、实际公式有恒定电流法和跨导外推法两种；

3、最常用的为恒定电流法。

建议如下：

1、排除问题时采用理论公式；

2、恒定电流法可多选取几个电流值；

3、不可“以点概面”，阈值出问题，先看转移特性曲线，尤其是小电流段。

心得：

1、理论公式在实际中不适用；

2、实际公式反映器件的特性，经济实用；

3、实际公式为表，理论公式为里。

全文完，客官们轻怕！

本打算再写个续续续的，就不丢人了，在此对整个系列做个总结。

1、阈值电压是蛮重要的参数；

2、阈值电压是半导体表面发生反型时的电压；

3、阈值电压由加个氧化层电压和半导体表面电压两部分组成；

4、阈值电压与氧化层厚度（dox）正相关，与半导体掺杂（NA）正相关；

5、实际中，阈值电压还需考虑金属-半导体功函数差、氧化层电荷的影响；

6、实际中，阈值电压常采用恒定电流法获得。