按照存储方式的不同，存储芯片可分为两大类：易失性存储、非易失性存储。

简单点说，易失存储就是断电后，数据就会丢失的存储器，通常用于运行程序的临时存储介质，比如内存条等；非易失性存储，断电后数据也不会丢失如U盘、硬盘等。

ROM（只读存储器）和RAM（随机存取存储器）

ROM（Read-Only Memory）：只读存储器，内容写入后就不能更改了，制造成本比较低，常用于电脑中的开机启动如启动光盘bios。一般可以分为3种：

RAM与ROM

RAM（Random Access Memory，随机存取存储器）是一种需要持续供电才能将数据保存在其中的存储器，一旦断电，数据就会丢失，为易失性存储器。（后文展开描述）

非易失性存储：闪存（flash memory）

闪存，就是常说的Flash，是一种电可擦除可编程只读存储器(Electrically Erasable ProgrammableRead Only Memory,EEPROM)。

主要有：NAND、NOR、eMMC、UFS等类型。

NAND Flash存储器: 采用串行的读写方式，每次读写操作都是以页为单位进行的，容量大、价格便宜，适用于存储大量数据，例如移动设备、SSD和USB闪存驱动器等。根据其不同的工艺技术，NAND已经从最早的SLC一路发展到如今的MLC、TLC、QLC和PLC。

NAND技术架构

此外，NAND Flash根据对应不同的空间结构来看，可分为2D结构和3D结构两类。

2D NAND与3D NAND

NOR Flash存储器：采用并行的读写方式，可以按字节读写，适合于需要快速读取和执行代码的场景，速度快、价格高，用于存储引导代码、操作系统和小型应用程序等。

eMMC Flash存储器：eMMC全称为嵌入式多媒体卡（Embedded Multimedia Card），是一种存储技术，由MMC协会所订立。是一种集成了控制器和存储芯片的NAND Flash存储设备。

eMMC=Nand Flash+控制器（Controller）+标准封装

UFS Flash存储器：全称为“Universal Flash Storage”，即通用闪存存储。是eMMC的进阶版，同样是由多个闪存芯片、主控组成的阵列式存储模块。

UFS=eMMC的进阶版，eMMC：半双工模式 UFS：全双工模式

连续读写性能：UFS4.0＞UFS3.1＞UFS2.1＞eMMC5.1。

eMCP Flash存储器：是结合eMMC和LPDDR封装而成，有NAND Flash控制芯片，可以减少主芯片运算的负担，并且管理更大容量的快闪记忆体。

eMCP=eMMC+LPDDR+标准封装

uMCP Flash存储器：是结合了UFS和LPDDR封装而成，与eMCP相比性能上更为突出，提供了更高的性能和功率节省。

uMCP=UFS+LPDDR+标准封装

易失存储器：SRAM 与 DRAM，DDR与LPDDR

存储分类

RAM（Random Access Memory，随机存取存储器）是一种需要持续供电才能将数据保存在其中的存储器，一旦断电，数据就会丢失，为易失性存储器。

DRAM（动态随机存取存储器）是一种使用电容器和少量晶体管构成的 RAM。DRAM有更高的容量并且更便宜。

SRAM（静态随机存取存储器）使用六个晶体管构成一个存储单元。它比 DRAM 等其他 RAM 类型相对更快，尺寸更小。常用于芯片内部的高速缓冲存储器Cache。

DRAM与SRAM对照表

DDR（Double Data Rate）和LPDDR（Low Power Double Data Rate）都属于DRAM，都是易失性存储器。不同点在于，LPDDR是低功耗版本，适合移动设备和嵌入式系统。DDR则适用于计算机、服务器等高性能计算领域。

DDR内存技术已经经历DDR、DDR2、DDR3、DDR4和DDR5的发展，数据传输速率可达6400Mbps。LPDDR内存也经历了几代发展，功耗降低到了极低的水平。

DDR与LPDDR速率对比

后记

存储芯片这一细分领域，非常细碎，应用也比较杂，梳理清楚实在不易。