RAM ROM FLASH

ROM-Read Only Memory的缩写。

RAM-Random Access Memory的缩写。

ROM断电可以保持数据。

RAM断电丢失数据。

RAM 有两类

静态RAM（Static RAM/SRAM），速度非常快，但是贵。

动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），速度比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，DRAM相比SRAM要便宜很多。DRAM(Dynamic Random Access Memory, 动态随机访问内存)。基本单元主要由一个晶体管和一个电容组成，电容中有电荷代表“1”，没有电荷代表“0”。

DRAM分很多种

FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM、WRAM。

常见的DDR RAM

Double-Date-Rate RAM也称作DDR SDRAM，它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍。

ROM分类

PROM是可编程的ROM，PROM是一次性的，软件灌入后，无法修改，

EPROM是通过紫外光的照射擦除原先的程序。

EEPROM是通过电子擦除。

FLASH

FLASH 存储器又称闪存，属于非易失存储器，它结合了ROM和RAM的长处，具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，不会断电丢失数据,可以对存储器单元块进行擦写和再编程,写入操作只能在空或已擦除的单元内进行。

Flash分两类

NOR Flash 采取内存的随机读取技术，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码。

NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，采用一次读取一块的读取技术，通常是一次读取512个字节，用户不能直接运行装载在NAND Flash上的代码。

擦除 NOR Flash是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s

擦除 NAND Flash是以8～32KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为4ms

小节：

NOR Flash 的读速度比NAND Flash稍快一些。

NAND Flash 的写入速度比NOR Flash快很多。

NAND Flash 的擦除速度远比NOR Flash快。

大多数写入操作需要先进行擦除操作。

NAND Flash 的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

Flash驱动主要的功能是用来模拟EEPROM。如果是在BootLoader中，Flash驱动应该是脱离于软件，通过引导程序下载到软件中再起作用。

AutoSar FlashDriver

Flash没有内部缓存区，不提供任何重写策略。Flash驱动擦除或者编程的时候，按Flash页中一个完整的扇区为单位。

Flash驱动不会提供用于数据完整性的处理机制，比如checks、um、冗余存储等

AutoSar FlashDriver提供的函数

Fls_Init 初始化flash driver

Fls_Erase 擦除flash sector

Fls_Write 写flash，完整的一页或者多页

Fls_Cancel 取消正在运行的job

Fls_GetStatus 返回driver的状态

Fls_GetJobResult 返回上一次job的结果

Fls_Read 从flash存储中读取数据

Fls_Compare 比较flash的一个区域和应用数据buffer中的内容

Fls_SetMode 设置flash driver的工作模式

Fls_GetVersionInfo 返回该模块的版本信息

Fls_BlankCheck 验证给定的存储区是否已被擦除但尚未（尚未）编程

Fls_MainFunction 处理各种job

艳阳高照：单片机bootloader(2)