IRFU3910PBF是N极性MOS管，IRFU3910PBF主要特征：
　　-超低导通电阻
　　-表面镶入
　　-直接运行
　　-先进的工艺技术
　　-快速切换
　　-完全Avalanche额定
　　-无铅
　　IRFU3910PBF基本描述：
　　来自国际整流器的第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现最低的可能的通电阻每硅面积。这一优点，加上HEXFET场效应晶体管功率MOSFETs管广为人知的快速开关速度的器件设计，为设计人员提供了一种极为高效的设备，可用于各种应用。
　　D-PAK是专为表面安装使用蒸汽移相器，红外，或波峰焊接技术，直引线版本(IRFU系列)是通过孔安装应用。在典型的表面安装应用中，功耗可能高达1.5瓦。

　　IRFU3910PBF核心参数：
　　Vds-漏源极击穿电压: 100V
　　Id-连续漏极电流: 16A
　　Rds On-漏源导通电阻: 115 mOhms
　　Vgs - 栅极-源极电压: - 20V, + 20V
　　Vgs th-栅源极阈值电压: 4V
　　Qg-栅极电荷: 44 nC
　　最小工作温度: -55°C
　　最大工作温度: +175°C
　　Pd-功率耗散: 79W
　　封装: TO-251-3
　　高度: 6.22 mm
　　长度: 6.73 mm
　　宽度: 2.38 mm
　　正向跨导-最小值: 6.4S
　　下降时间: 25ns
　　上升时间: 27ns
　　工厂包装数量: 3000
　　典型关闭延迟时间: 37ns
　　典型接通延迟时间: 6.4ns
　　单位重量: 4g