2N7002是N极性MOS管，2N7002主要参数为：正向跨导-最小值: 0.08 S、Vds-漏源极击穿电压: 60V、Id-连续漏极电流: 115mA、Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms、Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V、Pd-功率耗散: 200 mW、封装: SOT-23-3、引脚数3。2N7002是切换应用程序的MOS管。
　　2N7002基本描述：
　　2N7002是N通道增强模式场效应晶体管使用飞兆公司专有的高电池密度DMOS技术生产。这些产品被设计成减小通态电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。它们可用于要求直流高达400mA的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流。这些产品特别适用于低电压，小电流应用，如小型伺服电机控制，功率MOSFET门驱动器，和其他开关应用。
　　2N7002是N极性MOS管，2N7002主要特征：
　　高密度电池设计，低RDS(ON)
　　电压控制小信号开关
　　坚固可靠
　　高饱和电流能力
　　2N7002引脚图及电路图：

　　2N7002经典开关电路：

　　2N7002中文参数资料：
　　制造商: ON Semiconductor
　　晶体管极性: N-Channel
　　通道数量: 1 Channel
　　晶体管类型: 1 N-Channel
　　正向跨导-最小值: 0.08 S
　　Vds-漏源极击穿电压: 60V
　　Id-连续漏极电流: 115mA
　　Rds On-漏源导通电阻: 1.2Ohms
　　Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
　　最小工作温度: - 55°C
　　最大工作温度: + 150°C
　　Pd-功率耗散: 200 mW
　　封装: SOT-23-3
　　高度: 1.2 mm
　　长度: 2.9 mm
　　宽度: 1.3 mm
　　单位重量: 31 mg