对快速 GaN 器件进行基准测试是一项具有挑战性的任务，需要特殊定制的 PCB 布局。为获得准确结果，需要超低的杂散电感和高带宽电流测量。
本演示将介绍 Nexperia（安世半导体）采用 CCPAK 封装的全新 GaN 器件评估平台，可让设计人员不费吹灰之力，通过即插即用式解决方案即可评估现代 GaN FET 器件的开关性能。
全新的 GAN 器件评估板和铜夹片表面贴装封装 CCPAK，让您能够在自己的实验室里轻松进行这些测试，而不必自行设计。该评估板经过优化，提供超低的杂散电感并包含高带宽电流分流。这样，您能够以出色的精度捕获 GaN 器件的快速开关瞬态，而不引入额外的失真。
新评估板为工程师提供一个更简易方便的平台，以便对采用顶部散热的 CCPAK 封装 GaN 器件执行基准测试。主要测试场景是对关键开关参数进行双脉冲分析，如开关能量、功率和电流斜率或反向恢复特性，但它也可用于评估封装热阻和叠加效应以及持续工作模式的效率和功率性能测试。
在新 CCPAK 封装中，我们将超过 20年的高品质和高稳健性表面贴装封装制造经验与 GaN 共源级联技术相结合。与众所周知的 LFPAK 封装相似，我们提供具有超低杂散电感和出色热性能的无焊线铜夹片封装。为了实现高设计灵活性，CCPAK 提供顶部和底部散热选项，紧凑的 12x12mm 管脚尺寸有助于优化开关单元的大小和性能，从而实现更小巧、更高效的转换器。
审核编辑：汤梓红
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