盛美半导体设备（上海）股份有限公司对其300mm Ultra Fn立式炉干法工艺平台进行了功能扩展，研发出新型Ultra Fn A立式炉设备。该设备的热原子层沉积（ALD）功能丰富了盛美上海立式炉系列设备的应用。首台Ultra Fn A立式炉设备已于9月底运往中国一家先进的逻辑制造商。
盛美上海董事长王晖表示：“随着逻辑节点的不断缩小，越来越多的客户为满足其先进的工艺要求，努力寻找愿意合作的供应商共同开发。ALD是先进节点制造中增长最快的应用之一，是本公司立式炉管系列设备的关键性新性能。得益于对整个半导体制造工艺的深刻理解和创新能力，我们能够迅速开发全新的湿法和干法设备，以满足新兴市场的需求。全新ALD立式炉设备基于公司现有的立式炉设备平台，搭载差异化创新设计，软件算法优化等实现原子层吸附和均匀沉积。”
盛美上海新型热ALD设备可沉积氮化硅（SiN）和碳氮化硅（SiCN）薄膜。出厂的首台Ultra Fn A设备将用于28纳米逻辑制造流程，以制造侧壁间隔层。此工艺要求刻蚀速率极低，且台阶覆盖率良好，与其他实现模式相比，Ultra Fn A立式炉设备在模拟中实现了均一性的改善。
Ultra Fn A的特点
盛美上海Ultra Fn A设备以Ultra Fn立式炉设备平台的成功为基础，能满足原子层沉积工艺的同时具备低累积膜厚气体清洗功能，保证颗粒的稳定性。Ultra Fn A立式炉设备聚焦核心技术研发，力求满足高产能批式ALD工艺的高端要求。
可通过简单改变微小的组件和细微的布局对设备进行个性化定制，这使得新型ALD工艺的开发得以迅速提升。其创新设计还巧妙融合了盛美上海成熟的软件技术、可提高耐用性和可靠性的新硬件以及盛美上海独家专利工艺控制IP，以实现快速而稳定的工艺控制。
审核编辑：汤梓红
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