来源：《半导体芯科技》杂志 12/1月刊
内存与存储解决方案领先供应商美光科技（Micron Technology Inc.）宣布，其采用全球最先进技术节点的1βDRAM产品已开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证，并做好了量产准备。
美光率先在低功耗LPDDR5X移动内存上采用该新一代制程技术，其最高速率可达每秒8.5Gb。该节点在性能、密度和能效方面都有显著提升，将为市场带来巨大收益。除了移动应用，基于1β节点的DRAM产品还具备低延迟、低功耗和高性能的特点，能够支持智能汽车和数据中心等应用所需的快速响应、实时服务、个性化和沉浸式体验。
继2021年率先批量出货基于1α节点的产品后，美光推出全球最先进的1β节点DRAM，进一步巩固了市场领先地位。1β技术可将能效提高约15%，内存密度与1α节点的产品相比提升35%以上，单颗裸片容量高达16Gb。美光技术和产品执行副总裁Scott DeBoer表示：“1βDRAM产品融合了美光专有的多重曝光光刻技术、领先的制程技术及先进材料能力，标志着内存创新的又一次飞跃。全球领先的1βDRAM制程技术带来了前所未有的内存密度，为智能边缘和云端应用迎接新一代数据密集型、智能化和低功耗技术奠定了基础。”
随着LPDDR5X的出样，移动生态系统将率先受益于1βDRAM产品的显著优势，从而解锁下一代移动创新和先进的智能手机体验，并同时降低功耗。1β技术的速率和密度将使高带宽用例在下载、启动以及同时使用数据密集型的5G和人工智能应用时，提供更快的响应和流畅度。此外，基于1β节点的LPDDR5X不仅可以加速智能手机拍摄启动，提升夜间模式和人像模式下的拍摄速度和清晰度，还可以实现无抖动、高分辨率8K视频录制和便捷的手机视频编辑。
为了在1β和1α节点取得竞争优势，美光在过去数年还积极提升卓越制造、工程能力和开创性研发。此前，美光已在今年7月出货全球首款232层NAND，为存储解决方案带来了前所未有的性能和面密度，从而在公司的历史上首次同时确立了在DRAM和NAND领域的领导地位。多年来，美光已进一步投资数十亿美元，将晶圆厂打造成高度自动化、可持续和人工智能驱动的先进设施。这其中包括对日本广岛工厂的投资，美光将在这里量产基于1β节点的DRAM产品。
随着机器对机器通信、人工智能和机器学习等高能耗应用兴起，节能技术对企业显得愈发重要。互联世界需要快速、无处不在、节能的内存产品来助推数字化、最优化和自动化，而美光的1βDRAM节点为此提供了一个全面的基础。美光于未来的一年中将在诸如嵌入式、数据中心、客户端、消费类产品、工业和汽车等其他应用中量产1β节点，推出包括显示内存和高带宽内存等产品。
审核编辑：汤梓红
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