二氧化硅在电子制造领域的特性、应用与制备工艺详解

在电子制造领域，二氧化硅（SiO₂）作为一种兼具稳定性、绝缘性与可控性的关键材料，被广泛应用于集成电路、电子元器件封装、半导体衬底等多个核心环节。其独特的物理化学特性使其能够适配电子器件高精度、高可靠性的制造需求，无论是作为绝缘层隔绝电流干扰，还是作为结构材料支撑器件架构，二氧化硅都在电子制造产业链中扮演着不可替代的角色。深入了解其特性、应用场景及制备工艺，对于优化电子器件性能、提升制造效率具有重要意义。

二氧化硅的核心特性是其在电子制造领域应用的基础，这些特性涵盖物理、化学及电学多个维度，且不同特性之间的协同作用，使其能够满足电子制造中复杂的工况要求。首先从物理特性来看，纯净的二氧化硅呈无色透明状，这一特性使其在需要透光或光学检测的电子器件（如光电子芯片）中可作为保护层使用；同时，其熔点高达 1723℃，热膨胀系数较低（约 0.5×10⁻⁶/℃），在电子器件焊接、高温封装等高温工艺中，能有效抵抗温度变化带来的形变，避免器件结构损坏。

一、二氧化硅的核心特性解析

要充分发挥二氧化硅在电子制造中的价值，需先系统梳理其关键特性，明确各特性与电子制造需求的适配逻辑，具体可从以下三个维度展开：

（一）物理特性：适配电子制造的结构与环境需求

除前文提及的熔点与热膨胀系数外，二氧化硅的硬度（莫氏硬度 7）与密度（2.2g/cm³）也是重要的物理指标。较高的硬度使其在电子器件表面形成保护层时，能抵抗外界摩擦与冲击，减少器件划伤风险；而较低的密度则可降低封装后器件的整体重量，符合便携式电子设备（如手机、笔记本电脑）轻量化的设计趋势。此外，二氧化硅的介电常数（约 3.9，在 1MHz 频率下）相对稳定，这一特性为其作为绝缘材料提供了基础 —— 介电常数的稳定性可确保电子信号在传输过程中不易受介质影响而衰减，保障器件的信号传输效率。

（二）化学特性：保障电子器件的长期稳定性

二氧化硅的化学稳定性主要体现在其耐腐蚀性与惰性上。在电子制造过程中，器件常需接触酸、碱等腐蚀性溶液（如芯片清洗环节使用的氢氟酸除外），而二氧化硅不易与多数酸、碱发生反应，能有效保护器件内部结构不受腐蚀；同时，其化学惰性使其在常温下不与氧气、水汽等发生氧化或水解反应，避免器件因材料老化而出现性能下降，延长电子器件的使用寿命。需要注意的是，二氧化硅虽耐氢氟酸腐蚀，但在电子制造中可通过控制工艺条件（如避免氢氟酸直接接触二氧化硅层）来规避这一问题，或利用氢氟酸对二氧化硅的选择性腐蚀特性进行精细刻蚀（后续工艺环节将详细说明）。

（三）电学特性：满足电子器件的绝缘与隔离需求

作为电子制造中的核心绝缘材料，二氧化硅的电学特性直接影响器件的绝缘性能与漏电风险。其体积电阻率极高（约 10¹⁶-10¹⁹Ω・cm），能有效阻止电流在非预期路径上的流动，避免器件出现漏电现象；同时，其击穿场强较高（约 5-10MV/cm），在较高电压下仍能保持绝缘状态，适配高压电子器件（如功率半导体）的使用需求。此外，二氧化硅的介电损耗角正切值（tanδ）较低（通常小于 0.001），这意味着在高频电子信号传输过程中，能量损耗较小，可保障高频器件（如射频芯片）的工作效率。

二、二氧化硅在电子制造领域的典型应用场景

基于上述特性，二氧化硅在电子制造中形成了多场景、多用途的应用体系，不同应用场景对二氧化硅的形态（如薄膜、粉末、块状）与性能参数有不同要求，以下将按电子制造的核心环节分类说明：

（一）集成电路（IC）制造中的绝缘层与掩膜层应用

在集成电路制造中，二氧化硅最主要的应用是作为绝缘层与光刻掩膜层，具体可分为以下两个方面：

1. 栅极绝缘层：在金属 – 氧化物 – 半导体场效应晶体管（MOSFET）中，二氧化硅薄膜被用作栅极与沟道之间的绝缘层（即栅氧层）。这一层的厚度与均匀性直接影响晶体管的开关性能 —— 厚度过厚会增加栅极电容，降低器件开关速度；厚度不均则可能导致局部电场集中，引发击穿现象。因此，用于栅氧层的二氧化硅需具备极高的厚度均匀性（偏差通常控制在 5% 以内）与纯度（杂质含量低于 10⁻⁹级别），以保障晶体管的稳定性与可靠性。
2. 层间绝缘层：集成电路中多层金属布线之间需要二氧化硅作为层间绝缘层，以隔绝不同金属层之间的电流干扰。此时的二氧化硅通常采用化学气相沉积（CVD）工艺制备，形成的薄膜需具备良好的台阶覆盖性（即能均匀覆盖在凹凸不平的金属布线上），避免因覆盖不均出现空隙，导致层间漏电。此外，层间绝缘层的二氧化硅还需具备较低的应力，以防止薄膜因应力过大而开裂，影响器件结构完整性。
3. 光刻掩膜层：在光刻工艺中，二氧化硅可作为掩膜层使用 —— 通过在硅衬底表面生长二氧化硅薄膜，再利用光刻胶与蚀刻工艺在二氧化硅层上形成特定图案，随后以二氧化硅为掩膜对硅衬底进行刻蚀，实现器件结构的图形化。这一应用利用了二氧化硅与硅衬底在蚀刻过程中的选择性（如氢氟酸优先蚀刻二氧化硅，而对硅的蚀刻速率极低），确保刻蚀图案的精度。

（二）电子元器件封装中的填充与保护应用

在电子元器件（如芯片、电阻、电容）的封装环节，二氧化硅常以粉末形式作为填充剂，或以薄膜形式作为保护层，具体应用如下：

1. 封装树脂的填充剂：封装树脂（如环氧树脂）中添加二氧化硅粉末，可起到降低树脂热膨胀系数、提高导热性与机械强度的作用。未添加二氧化硅的树脂热膨胀系数较高（约 60×10⁻⁶/℃），与芯片（硅的热膨胀系数约 3×10⁻⁶/℃）的热膨胀系数差异较大，在温度变化时易因热应力导致封装开裂；而添加二氧化硅粉末后，可将树脂的热膨胀系数调节至与芯片接近的水平（约 10-20×10⁻⁶/℃），减少热应力。同时，二氧化硅的添加还能提高封装体的导热性，帮助芯片散热，避免因过热导致性能下降。用于封装填充的二氧化硅粉末需具备较高的纯度（杂质含量低于 10⁻⁶级别）与均匀的粒径分布（通常为 1-10μm），以确保填充均匀性，避免出现团聚现象。
2. 器件表面的保护层：部分电子元器件（如发光二极管 LED）的表面会覆盖一层二氧化硅薄膜作为保护层，这层薄膜可起到隔绝水汽、灰尘与外界污染物的作用，防止器件内部结构被腐蚀或污染。同时，二氧化硅的透光性可保障 LED 的光输出效率，不会因保护层而导致光衰减。用于表面保护的二氧化硅薄膜通常采用物理气相沉积（PVD）或溶胶 – 凝胶法制备，薄膜厚度一般控制在 100-500nm，需具备良好的附着力，避免在使用过程中脱落。

（三）半导体衬底与外延生长中的支撑应用

在半导体材料制造中，二氧化硅（尤其是熔融石英，一种高纯度的二氧化硅）可作为衬底材料，或在硅外延生长过程中起到支撑与隔离作用：

1. 熔融石英衬底：熔融石英具有极高的纯度（SiO₂含量高于 99.99%）、优异的耐高温性与低的热膨胀系数，适合作为蓝宝石、碳化硅等宽禁带半导体材料的外延衬底。在蓝宝石外延生长过程中，熔融石英衬底能提供稳定的高温环境（通常需 1000℃以上），且其表面平整度较高（粗糙度低于 0.5nm），可保障外延层的生长质量。此外，熔融石英的透光性使其可用于光电子器件的衬底，如紫外探测器、激光二极管等。
2. 硅外延生长的隔离层：在硅外延生长工艺中，有时会在硅衬底表面先生长一层二氧化硅薄膜，再通过光刻与蚀刻工艺在二氧化硅层上制作窗口，随后在窗口处进行硅外延生长，形成选择性外延层。这一过程利用了二氧化硅对硅外延生长的抑制作用 —— 硅原子仅在暴露的硅衬底窗口处生长，而不在二氧化硅表面生长，从而实现外延层的图形化，为制造复杂的半导体结构（如隔离岛、沟槽结构）提供支持。

三、电子制造用二氧化硅的主要制备工艺

不同应用场景对二氧化硅的形态（薄膜、粉末、块状）与性能要求不同，对应的制备工艺也存在差异。以下将按二氧化硅的形态分类，详细说明电子制造中常用的制备工艺，包括工艺原理、操作步骤与关键控制参数：

（一）二氧化硅薄膜的制备工艺：适配集成电路与器件保护需求

电子制造中常用的二氧化硅薄膜制备工艺主要有热氧化法、化学气相沉积法（CVD）与物理气相沉积法（PVD），三种工艺的适用场景与性能特点各有不同：

1. 热氧化法：制备高质量栅氧层的核心工艺

热氧化法是通过将硅衬底置于高温氧化环境中，使硅与氧气或水汽发生反应，在衬底表面生成二氧化硅薄膜的工艺，主要用于集成电路中栅氧层的制备，具体步骤如下：

• 步骤 1：衬底预处理：将硅衬底依次进行清洗（使用硫酸 – 过氧化氢混合溶液去除有机物，氢氟酸去除表面自然氧化层）、烘干，确保衬底表面无杂质与污染物，避免影响氧化层质量。
• 步骤 2：氧化反应：将预处理后的硅衬底放入石英管式炉中，通入氧化气体（纯氧或氧气与水汽的混合气体），并将炉温升高至 900-1200℃。在高温下，硅衬底表面的硅原子与氧化气体发生反应：Si + O₂ → SiO₂（干氧氧化），或 Si + 2H₂O → SiO₂ + 2H₂（湿氧氧化）。
• 步骤 3：薄膜厚度控制与冷却：通过调节氧化温度、氧化时间与氧化气体流量来控制二氧化硅薄膜的厚度（通常栅氧层厚度为 1-10nm）。氧化完成后，缓慢降低炉温至室温，避免因温度骤变导致薄膜开裂或衬底损坏。
• 关键控制参数：氧化温度（影响反应速率，温度越高速率越快）、氧化时间（直接决定厚度，需根据目标厚度计算）、氧化气体纯度（杂质会影响薄膜绝缘性能，纯度需高于 99.999%）。

2. 化学气相沉积法（CVD）：制备层间绝缘层的主流工艺

CVD 工艺是通过将含硅的气态前驱体（如四氯化硅 SiCl₄、正硅酸乙酯 TEOS）与氧气或臭氧引入反应腔，在衬底表面发生化学反应，生成二氧化硅薄膜的工艺，适合制备集成电路的层间绝缘层，步骤如下：

• 步骤 1：反应腔预处理：对 CVD 反应腔进行抽真空（真空度需达到 10⁻³-10⁻⁵Pa），并加热至目标温度（通常为 300-800℃，具体温度取决于前驱体类型），同时通入惰性气体（如氮气）吹扫，去除腔内杂质。
• 步骤 2：前驱体导入与反应：将气态前驱体（如 TEOS）与氧气按一定比例（通常 TEOS:O₂=1:4-1:10）导入反应腔。在加热或等离子体辅助下，前驱体与氧气发生反应：Si (OC₂H₅)₄ + 4O₂ → SiO₂ + 4C₂H₄O₂（TEOS 氧化反应），生成的二氧化硅在衬底表面沉积形成薄膜。
• 步骤 3：薄膜后处理：沉积完成后，对薄膜进行退火处理（温度为 600-1000℃），以降低薄膜应力、提高致密性；随后进行等离子体刻蚀，修正薄膜表面平整度，确保符合层间绝缘层的要求。
• 关键控制参数：反应温度（影响沉积速率与薄膜致密性，温度越高致密性越好）、前驱体浓度（影响沉积均匀性，浓度需稳定）、反应腔压力（压力过高易导致前驱体团聚，压力过低则沉积速率慢，通常控制在 1-10kPa）。

3. 物理气相沉积法（PVD）：制备表面保护层的辅助工艺

PVD 工艺是通过物理手段（如蒸发、溅射）将固态二氧化硅源转化为气态或等离子态，随后在衬底表面沉积形成薄膜的工艺，主要用于电子器件的表面保护层，步骤如下：

• 步骤 1：靶材与衬底准备：将高纯度二氧化硅块状材料作为靶材（纯度高于 99.99%），固定在 PVD 设备的靶座上；将待镀膜的电子器件（如 LED 芯片）作为衬底，固定在衬底架上，并对衬底进行清洗与烘干。
• 步骤 2：真空环境建立与溅射 / 蒸发：对 PVD 真空室进行抽真空（真空度需达到 10⁻⁴-10⁻⁶Pa），随后选择溅射或蒸发模式：若为溅射模式，通入氩气（作为溅射气体），并在靶材与衬底之间施加高压，使氩气电离形成等离子体，等离子体轰击靶材表面，使二氧化硅原子脱离靶材，飞向衬底并沉积；若为蒸发模式，通过电阻加热或电子束加热靶材，使二氧化硅熔化并蒸发，气态二氧化硅在衬底表面冷凝形成薄膜。
• 步骤 3：薄膜厚度检测与收尾：在沉积过程中，使用薄膜厚度监测仪（如石英晶体振荡仪）实时监测薄膜厚度，达到目标厚度（通常为 100-500nm）后，停止加热或溅射，待真空室冷却后取出器件。
• 关键控制参数：真空度（影响薄膜纯度，真空度越高杂质越少）、溅射功率 / 蒸发温度（影响沉积速率，需根据目标厚度调节）、衬底温度（影响薄膜附着力，通常控制在 100-300℃，温度过高可能损伤器件）。

（二）二氧化硅粉末的制备工艺：适配封装填充剂需求

电子封装用二氧化硅粉末需具备高纯度、均匀粒径与低杂质含量，常用制备工艺为气相法与溶胶 – 凝胶法：

1. 气相法：制备高纯度超细粉末的工艺

气相法是通过将含硅的气态化合物（如四氯化硅）在高温下与氧气反应，生成二氧化硅颗粒并收集的工艺，步骤如下：

• 步骤 1：原料汽化与预热：将液态四氯化硅（SiCl₄）通过汽化器转化为气态，与氧气按一定比例（SiCl₄:O₂=1:2-1:4）混合，随后通入预热器（温度为 300-500℃），使混合气体温度升高，为后续反应做准备。
• 步骤 2：高温反应与颗粒形成：将预热后的混合气体导入反应炉（温度为 1000-1500℃），在高温下发生反应：SiCl₄ + O₂ → SiO₂ + 2Cl₂。反应生成的二氧化硅以超细颗粒形式存在（粒径通常为 10-100nm），随气流进入冷却器。
• 步骤 3：颗粒收集与后处理：在冷却器中，气流温度降至室温，二氧化硅颗粒通过布袋除尘器或电除尘器收集；收集后的粉末需进行酸洗（去除残留的氯化物杂质）、水洗与烘干，最后通过气流分级机筛选出粒径均匀的粉末（通常为 1-10μm，适配封装填充需求）。
• 关键控制参数：反应温度（影响颗粒粒径，温度越高粒径越小）、原料比例（确保反应充分，避免原料残留）、冷却速率（冷却过快易导致颗粒团聚，需控制冷却速率在 50-100℃/s）。

2. 溶胶 – 凝胶法：制备可控粒径粉末的工艺

溶胶 – 凝胶法是通过将含硅的前驱体（如正硅酸乙酯 TEOS）在溶液中水解、缩聚形成溶胶，再将溶胶干燥、煅烧形成二氧化硅粉末的工艺，步骤如下：

• 步骤 1：溶胶制备：将 TEOS、乙醇（溶剂）、去离子水按一定比例（TEOS: 乙醇：水 = 1:4:2-1:10:5）混合，加入少量催化剂（如盐酸或氨水，调节 pH 值至 2-4 或 8-10，影响水解速率）。在室温下搅拌反应 2-4 小时，TEOS 发生水解反应：Si (OC₂H₅)₄ + 4H₂O → Si (OH)₄ + 4C₂H₅OH，随后水解产物发生缩聚反应，形成含二氧化硅的溶胶。
• 步骤 2：凝胶形成与老化：将溶胶倒入模具中，在室温下静置（时间为 12-24 小时），溶胶逐渐失去流动性，形成凝胶（一种多孔的固态网络结构）。随后对凝胶进行老化处理（在湿度为 60%-80%、温度为 25-50℃的环境中放置 2-3 天），使凝胶网络结构更稳定，减少后续干燥过程中的收缩。
• 步骤 3：干燥与煅烧：将老化后的凝胶放入烘箱中，在 60-100℃下干燥 8-12 小时，去除凝胶中的溶剂与水分，形成干凝胶；随后将干凝胶放入马弗炉中，在 600-800℃下煅烧 2-4 小时，去除残留的有机杂质，使干凝胶转化为二氧化硅粉末。最后通过研磨与筛分，得到目标粒径的粉末（通常为 5-20μm，可根据封装需求调节）。
• 关键控制参数：pH 值（影响水解与缩聚速率，酸性条件下速率较慢，颗粒更均匀）、干燥温度（温度过高易导致凝胶开裂，需缓慢升温）、煅烧温度（温度过低无法去除有机杂质，过高可能导致颗粒烧结，需精准控制）。

（三）块状二氧化硅（熔融石英）的制备工艺：适配衬底需求

熔融石英是电子制造中常用的块状二氧化硅材料，其制备工艺以高温熔融法为主，步骤如下：

• 步骤 1：原料选择与预处理：选用高纯度石英砂（SiO₂含量高于 99.99%）作为原料，去除其中的杂质（如铁、铝等金属氧化物，可通过磁选、酸洗等方式），随后将石英砂粉碎至粒径为 0.1-1mm，便于后续熔融。
• 步骤 2：高温熔融：将预处理后的石英砂送入电弧炉或感应炉中，加热至 1750-1800℃（高于二氧化硅的熔点 1723℃），使石英砂完全熔融。在熔融过程中，通入氧气或氮气，去除熔融液中的气泡与挥发性杂质，确保熔融液的均匀性。
• 步骤 3：成型与退火：将熔融液倒入预制的模具中（模具材质通常为石墨或耐火材料），根据目标衬底的尺寸与形状进行成型（如板材、圆片）。成型后，将衬底放入退火炉中，从高温缓慢冷却至室温（冷却速率通常为 5-10℃/h），以消除衬底内部的内应力，避免因应力导致衬底开裂或变形。
• 步骤 4：精密加工：退火后的衬底需进行精密加工，包括切割（将衬底切割成目标尺寸）、研磨（使用金刚石砂轮研磨表面，提高平整度）、抛光（使用胶体二氧化硅进行化学机械抛光，使表面粗糙度低于 0.5nm），最终得到符合半导体衬底要求的块状二氧化硅材料。
• 关键控制参数：熔融温度（需高于熔点，确保完全熔融，温度过高会导致能耗增加）、熔融时间（影响杂质去除效果，时间过短杂质残留多）、退火冷却速率（速率过慢会延长生产周期，过快易产生应力）。

四、二氧化硅在电子制造中的质量控制要点

由于二氧化硅的性能直接影响电子器件的质量与可靠性，因此在电子制造过程中，需对二氧化硅的纯度、形态参数、力学与电学性能进行严格控制，具体控制要点如下：

（一）纯度控制：避免杂质影响器件性能

电子制造用二氧化硅的纯度要求极高，尤其是用于集成电路栅氧层与半导体衬底的二氧化硅，杂质含量需控制在 10⁻⁹-10⁻⁶级别（ppm-ppb 级别）。常见的杂质包括金属离子（如 Na⁺、K⁺、Fe³⁺、Cu²⁺）、非金属杂质（如 C、N、Cl⁻）与水分。

• 金属离子控制：金属离子会导致二氧化硅的绝缘性能下降，增加漏电风险。控制措施包括：选用高纯度原料（如 99.999% 以上的石英砂或 TEOS）、在制备过程中使用高纯度气体（如 99.9999% 的氧气、氮气）、设备材质选用耐腐蚀且低金属污染的材料（如石英、聚四氟乙烯）、在工艺过程中定期对设备进行清洗（使用高纯度氢氟酸或硝酸），去除设备表面的金属杂质。同时，通过电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）对二氧化硅中的金属离子含量进行检测，确保符合标准。
• 非金属杂质控制：非金属杂质中，碳杂质会导致二氧化硅薄膜的致密性下降，氮杂质会影响薄膜的介电性能，氯杂质会腐蚀器件结构。控制措施包括：在 CVD 或气相法制备过程中，优化反应参数（如提高反应温度、增加氧气比例），确保前驱体完全反应，减少残留；在熔融石英制备过程中，通入氧气，促进碳杂质氧化为 CO₂排出；通过红外光谱（FTIR）检测二氧化硅中的碳、氮含量，通过离子色谱检测氯含量。
• 水分控制：二氧化硅中的水分会导致其介电常数与介电损耗增加，影响信号传输效率。控制措施包括：在制备过程中对原料与气体进行干燥处理（如使用分子筛脱水）、在反应腔或熔融炉中保持干燥环境、对制备后的二氧化硅进行烘干或退火处理（如在 100-200℃下烘干去除表面水分，在 600-800℃下退火去除内部水分）；通过卡尔费休水分测定仪检测二氧化硅的水分含量，确保低于 50ppm。

（二）形态参数控制：保障适配性与一致性

不同应用场景对二氧化硅的形态参数要求不同，需针对薄膜、粉末、块状三种形态分别控制：

• 薄膜形态参数控制：主要控制参数包括厚度、均匀性、表面平整度与台阶覆盖性。厚度控制可通过椭圆偏振仪（检测精度可达 0.1nm）实时监测，确保厚度偏差在 ±5% 以内；均匀性控制需优化制备工艺（如 CVD 的气体分布、PVD 的靶材与衬底距离），通过扫描电子显微镜（SEM）观察薄膜截面，确保不同区域厚度差异小于 3%；表面平整度控制可通过原子力显微镜（AFM）检测，要求表面粗糙度 Ra 低于 0.5nm（栅氧层）或 1nm（层间绝缘层）；台阶覆盖性控制需调整 CVD 的反应压力与温度，通过 SEM 观察薄膜在凹凸结构上的覆盖情况，确保无明显空隙。
• 粉末形态参数控制：主要控制参数包括粒径分布、比表面积与团聚程度。粒径分布控制可通过气流分级机筛选，使用激光粒度仪检测，要求粒径分布跨度（d90/d10）小于 2.5（d90 为 90% 颗粒的粒径，d10 为 10% 颗粒的粒径）；比表面积控制可通过调节制备工艺（如气相法的反应温度、溶胶 – 凝胶法的水解时间），使用 BET 比表面积分析仪检测，通常封装填充用二氧化硅粉末的比表面积为 5-20m²/g；团聚程度控制需在制备后进行分散处理（如超声分散、添加分散剂），通过 SEM 观察粉末的团聚情况，确保无明显团聚体（团聚体粒径不超过 50μm）。
• 块状形态参数控制：主要控制参数包括尺寸精度、表面平整度与翘曲度。尺寸精度控制通过精密切割与研磨实现，使用激光测径仪检测，确保尺寸偏差在 ±0.1mm 以内；表面平整度控制通过精密抛光实现，使用激光干涉仪检测，要求平面度低于 5μm/m（每米长度内的平面偏差）；翘曲度控制通过优化退火工艺，减少内应力，使用翘曲度测试仪检测，确保翘曲度小于 10μm（对于直径 100mm 的圆片衬底）。

（三）力学与电学性能控制：确保结构与功能可靠性

• 力学性能控制：主要控制参数包括硬度、弹性模量与附着力（针对薄膜）。硬度与弹性模量可通过纳米压痕仪检测，要求二氧化硅薄膜的硬度高于 8GPa，弹性模量高于 70GPa（保障耐磨性）；薄膜附着力控制需优化衬底预处理工艺（如清洗、等离子体活化），通过划格法或拉开法检测，要求附着力等级达到 1 级（划格法，无涂层脱落）或附着力强度高于 10MPa（拉开法），避免薄膜脱落。
• 电学性能控制：主要控制参数包括体积电阻率、击穿场强、介电常数与介电损耗。体积电阻率通过高阻计检测，要求高于 10¹⁶Ω・cm；击穿场强通过击穿电压测试仪检测，要求高于 5MV/cm；介电常数与介电损耗通过阻抗分析仪检测（在 1MHz 频率下），要求介电常数为 3.8-4.0，介电损耗角正切值小于 0.001。检测过程中需在不同温度（如 – 40℃-125℃，模拟电子器件的工作温度范围）下进行，确保性能在宽温度范围内稳定。