电子制造领域刻蚀选择性：定义、影响因素、评估方法与调控策略全解析

在电子制造过程中，刻蚀工艺作为芯片制造、印刷电路板（PCB）加工及微机电系统（MEMS）制备等核心环节的关键步骤，其核心目标是在目标材料上精准形成预设的图形结构，同时最大限度减少对非目标材料（包括衬底、掩膜层及其他功能层）的损伤。而刻蚀选择性作为衡量刻蚀工艺精准度与有效性的核心指标，直接决定了器件的图形分辨率、结构完整性及最终性能。理解刻蚀选择性的本质、明确其影响因素、掌握科学的评估方法及有效的调控策略，对保障电子制造工艺的稳定性与产品良率具有至关重要的意义。

刻蚀选择性的本质是刻蚀工艺对不同材料的刻蚀速率差异，这种差异使得工艺能够 “区分” 目标刻蚀材料与非目标保护材料，从而实现图形的精准转移。在实际生产中，刻蚀选择性的高低直接关联到工艺窗口的大小：高选择性意味着即使刻蚀参数出现微小波动，也能避免非目标材料被过度刻蚀，为工艺稳定提供更大的容错空间；反之，低选择性则可能导致掩膜层过早失效、衬底损伤或相邻功能层被破坏，最终引发器件性能下降甚至报废。

一、刻蚀选择性的核心定义与分类

1.1 核心定义

从量化角度出发，刻蚀选择性（S）的定义为目标材料的刻蚀速率（R₁）与非目标材料的刻蚀速率（R₂）的比值，计算公式如下：

S = R₁ / R₂

该比值越大，表明刻蚀工艺对目标材料的 “优先刻蚀” 能力越强，对非目标材料的保护效果越好。例如，在硅片刻蚀中，若硅（目标材料）的刻蚀速率为 100 nm/min，光刻胶（掩膜层，非目标材料）的刻蚀速率为 1 nm/min，则刻蚀选择性为 100:1，意味着光刻胶层能有效保护下方材料，且可支持更长时间的刻蚀以形成较深的结构。

1.2 常见分类

根据电子制造中刻蚀对象与保护对象的不同，刻蚀选择性可分为以下三类，不同类型对应不同的工艺需求：

• 目标层与掩膜层的选择性：这是最基础的选择性类型，核心是保障掩膜层在刻蚀过程中不被过度消耗。例如，在金属布线刻蚀中，以光刻胶为掩膜，需确保金属（如铜、铝）的刻蚀速率远高于光刻胶，避免掩膜层提前破损导致图形失真。
• 目标层与衬底的选择性：当刻蚀需要穿透目标层并停止在衬底表面时，需重点控制此类选择性。例如，在 MEMS 器件的硅通孔（TSV）刻蚀中，目标层为硅，衬底为氧化硅绝缘层，需确保硅的刻蚀速率远高于氧化硅，防止刻蚀过度破坏衬底的绝缘性能。
• 不同功能层之间的选择性：在多层结构器件（如芯片的多层布线、PCB 的多层电路）刻蚀中，需区分不同功能层（如金属层与介质层、不同金属层之间）的刻蚀速率。例如，在芯片的介质层刻蚀中，需避免刻蚀过程对下方已形成的金属布线造成损伤，因此需保证介质层与金属层的高选择性。

二、影响刻蚀选择性的关键因素

刻蚀选择性并非由单一因素决定，而是受刻蚀工艺类型、反应气体特性、工艺参数、材料特性及设备状态等多方面因素共同影响，各因素通过改变不同材料的刻蚀速率差异，最终作用于选择性结果。

2.1 刻蚀工艺类型的影响

电子制造中主流的刻蚀工艺包括干法刻蚀（等离子体刻蚀）与湿法刻蚀，两类工艺的作用机制不同，对选择性的影响也存在显著差异：

• 干法刻蚀（等离子体刻蚀）：依赖等离子体中的活性离子、自由基与材料表面发生物理轰击和化学反应。其中，物理轰击作用（离子的动能）对选择性的影响较为间接，通常会提升所有材料的刻蚀速率，但对硬度较高的材料（如金属、硅）的提升效果更明显；而化学反应作用（自由基的化学活性）是决定选择性的核心 —— 不同自由基与不同材料的反应活性差异极大，例如氟自由基（F・）与硅的反应活性远高于与光刻胶的反应活性，因此氟基气体为主的等离子体刻蚀对硅与光刻胶的选择性较高；而氯自由基（Cl・）与金属的反应活性更强，更适合金属层的刻蚀。
• 湿法刻蚀：依赖化学溶液与材料的液相化学反应，选择性完全由化学溶液的成分与材料的化学活性差异决定。例如，氢氟酸（HF）溶液能与二氧化硅（SiO₂）快速反应生成可溶于水的氟硅酸，但与硅（Si）的反应速率极慢，因此 HF 溶液对 SiO₂与 Si 的刻蚀选择性可达到 1000:1 以上，常用于硅片表面的氧化层去除；而硝酸与氢氟酸的混合溶液（HNO₃-HF）则能快速刻蚀硅，同时对 SiO₂的刻蚀速率较低，适用于硅结构的湿法刻蚀。

2.2 反应气体 / 溶液成分的影响

无论是干法刻蚀的气体，还是湿法刻蚀的溶液，其成分的选择与配比直接决定了刻蚀选择性的高低：

• 干法刻蚀气体：除了活性自由基气体（如 F、Cl、O 类气体），通常还会加入稀释气体（如 Ar、N₂）或钝化气体（如 C₂F₆、CHF₃）。其中，钝化气体的作用是在非目标材料表面形成保护层，进一步降低其刻蚀速率。例如，在刻蚀硅的过程中加入 CHF₃，其分解产生的碳氟聚合物（CFₓ）会在氧化硅表面形成钝化层，抑制氧化硅的刻蚀，从而提升硅与氧化硅的选择性。
• 湿法刻蚀溶液：溶液的浓度、pH 值及添加剂（如缓蚀剂）会显著改变选择性。例如，在铜的湿法刻蚀中，若仅使用硝酸溶液，虽然刻蚀速率快，但对光刻胶的选择性较低；加入适量的盐酸（形成王水）或缓蚀剂（如苯并三氮唑，BTA），可在铜表面形成临时保护膜，减缓铜的刻蚀速率，同时降低溶液对光刻胶的侵蚀，提升选择性。

2.3 工艺参数的影响

在确定刻蚀工艺类型与反应介质后，工艺参数的调控是优化选择性的关键手段，不同参数通过改变反应速率或物理作用强度，影响不同材料的刻蚀速率差异：

• 干法刻蚀参数：
• 射频功率：分为源功率（控制等离子体密度）与偏压功率（控制离子轰击能量）。源功率升高会增加活性自由基浓度，提升所有材料的刻蚀速率，但对反应活性高的材料（目标材料）提升更显著，可轻微提升选择性；偏压功率升高会增强离子轰击强度，对硬度高的材料刻蚀速率提升更明显，若目标材料硬度高于非目标材料（如硅与光刻胶），适当提升偏压功率可提升选择性，反之则可能降低选择性。
• 反应压力：压力升高会增加等离子体中粒子的碰撞频率，降低离子的平均自由程与轰击能量，同时可能改变自由基的种类与浓度。例如，在铝的干法刻蚀中，较低的压力（1-5 mTorr）有利于离子轰击，提升铝与光刻胶的选择性；过高的压力则可能导致光刻胶刻蚀速率增加，选择性下降。
• 温度：温度升高会加快化学反应速率，对不同材料的影响程度不同。例如，在光刻胶掩膜的刻蚀中，温度过高会导致光刻胶软化甚至碳化，增加其刻蚀速率，降低选择性；而在某些金属刻蚀中，适当升温可提升金属与介质层的反应速率差异，从而提升选择性。
• 湿法刻蚀参数：
• 温度：湿法刻蚀为液相反应，温度每升高 10℃，反应速率通常提升 2-3 倍，但不同材料的速率提升比例不同。例如，在 SiO₂的 HF 湿法刻蚀中，温度升高对 SiO₂刻蚀速率的提升远高于对 Si 的影响，因此可进一步提升 SiO₂与 Si 的选择性。
• 搅拌速率：搅拌可加快反应产物从材料表面的脱附速率，提升刻蚀速率，但对目标材料与非目标材料的速率提升比例相近，因此对选择性的影响相对较小，通常作为辅助参数，用于确保刻蚀均匀性。

2.4 材料特性的影响

刻蚀对象与保护对象的固有特性（如化学组成、晶体结构、表面状态）是决定选择性的基础，即使在相同工艺条件下，不同材料的刻蚀速率差异也会因特性不同而显著不同：

• 化学组成：材料的元素构成直接决定其与反应介质的反应活性。例如，硅（Si）与氟自由基的反应活性远高于碳（C，光刻胶主要成分），因此氟基等离子体对硅与光刻胶的选择性较高；而铝（Al）与氯自由基的反应活性高于硅，因此氯基等离子体更适合铝的刻蚀。
• 晶体结构：单晶材料与多晶材料的刻蚀速率存在差异，进而影响选择性。例如，单晶硅的刻蚀速率通常低于多晶硅，因此在以多晶硅为目标层、单晶硅为衬底的刻蚀中，可利用这种差异提升选择性。
• 表面状态：材料表面的氧化层、污染物或预处理（如表面钝化、粗糙化）会改变其与反应介质的接触状态。例如，铜表面若存在氧化层（CuO），在湿法刻蚀中，氧化层的刻蚀速率可能与铜本体不同，若未提前去除氧化层，会导致选择性下降；而通过表面钝化处理（如涂覆 BTA），可在非目标材料表面形成保护层，提升选择性。

三、刻蚀选择性的科学评估方法

为准确衡量刻蚀选择性的高低，需通过标准化的评估流程，结合定量测量与定性观察，确保评估结果的准确性与重复性。以下是电子制造中常用的评估方法，按 “样品制备 – 参数测量 – 结果计算 – 验证” 的步骤展开：

3.1 评估前的样品制备

评估刻蚀选择性的前提是制备结构明确的测试样品，确保目标材料与非目标材料的界面清晰、厚度均匀，具体步骤如下：

1. 基底选择：根据实际工艺需求选择基底（如硅片、玻璃、PCB 基板），并对基底进行清洗（如使用 RCA 清洗法去除表面油污、金属离子与氧化层），确保基底表面洁净。
2. 层状结构制备：通过镀膜（如溅射、蒸镀）、沉积（如化学气相沉积 CVD、物理气相沉积 PVD）或涂覆（如光刻胶旋涂）等方法，在基底上形成 “非目标材料层 – 目标材料层” 或 “目标材料层 – 衬底” 的层状结构，并通过台阶仪或椭圆偏振仪测量各层的初始厚度（记为 T₀₁，目标材料初始厚度；T₀₂，非目标材料初始厚度）。
3. 图形化处理（可选）：若需模拟实际器件的图形刻蚀，可通过光刻工艺在顶层（通常为掩膜层）形成预设图形（如线条、通孔），确保图形边缘整齐，无残胶或缺陷。

3.2 刻蚀工艺执行

将制备好的测试样品放入刻蚀设备中，按照预设的工艺参数（如气体配比、功率、温度、时间）执行刻蚀，刻蚀时间需根据目标材料的预期刻蚀深度设定，通常确保目标材料被刻蚀至预设深度，且非目标材料未被完全刻蚀。

3.3 关键参数测量

刻蚀完成后，需测量目标材料与非目标材料的剩余厚度或刻蚀深度，常用测量工具与方法如下：

1. 厚度测量：

• 台阶仪：适用于测量较大面积（如 100 μm 以上）的厚度变化，通过探针扫描样品表面，记录刻蚀区域与未刻蚀区域（参考区域）的高度差，该高度差即为材料的刻蚀深度（R×t，R 为刻蚀速率，t 为刻蚀时间）。
• 椭圆偏振仪：适用于测量薄膜（厚度小于 1 μm）的厚度，通过分析偏振光在材料表面的反射特性，计算材料的剩余厚度（记为 T₁，目标材料剩余厚度；T₂，非目标材料剩余厚度）。
• 扫描电子显微镜（SEM）：适用于观察截面结构，通过聚焦离子束（FIB）制备样品截面，利用 SEM 拍摄截面图像，测量刻蚀后各层的剩余厚度，同时可观察界面是否存在刻蚀损伤（如侧蚀、底切）。

2. 刻蚀速率计算：根据测量的初始厚度与剩余厚度，结合刻蚀时间（t），分别计算目标材料的刻蚀速率（R₁）与非目标材料的刻蚀速率（R₂）：

R₁ = (T₀₁ – T₁) / t

R₂ = (T₀₂ – T₂) / t

3.4 选择性计算与结果验证

1. 选择性计算：根据上述公式 S = R₁ / R₂，代入 R₁与 R₂的数值，得到刻蚀选择性的量化结果。为确保准确性，需在同一样品的不同区域（至少 3 个区域）进行测量，取平均值作为最终的选择性结果。
2. 结果验证：除定量计算外，还需通过定性观察验证选择性的实际效果：

• 光学显微镜观察：观察刻蚀图形的边缘是否整齐，是否存在掩膜层破损、目标材料残留或非目标材料损伤。
• 原子力显微镜（AFM）：测量刻蚀表面的粗糙度，若非目标材料表面粗糙度显著增加，可能表明其被过度刻蚀，选择性不佳。
• 电学性能测试（可选）：对于器件级样品，可通过万用表、探针台等测量器件的电学参数（如电阻、电容），若参数异常（如电阻增大），可能是由于非目标材料（如金属层）被刻蚀损伤导致。

四、刻蚀选择性的调控策略

在电子制造的实际生产中，需根据工艺需求（如刻蚀深度、图形精度、材料组合），通过针对性的调控策略提升刻蚀选择性，确保工艺稳定性与产品良率。以下是基于不同影响因素的调控策略，按 “工艺类型优化 – 介质成分调整 – 参数精细调控 – 材料预处理” 的逻辑展开：

4.1 基于刻蚀工艺类型的优化策略

根据目标材料与非目标材料的特性，选择更适合的刻蚀工艺类型，是提升选择性的基础：

• 优先选择湿法刻蚀的场景：当目标材料与非目标材料的化学活性差异显著时，湿法刻蚀通常能实现更高的选择性。例如，去除硅片表面的氧化层时，HF 湿法刻蚀对 SiO₂与 Si 的选择性远高于干法刻蚀，且成本更低、操作更简单，因此优先选择湿法刻蚀。
• 优先选择干法刻蚀的场景：当需要刻蚀高深宽比结构（如 TSV、栅极沟槽）或图形分辨率要求高（如纳米级线条）时，干法刻蚀的各向异性（垂直刻蚀能力）更强，且可通过调控等离子体参数优化选择性。例如，在芯片的栅极刻蚀中，需形成宽度为几十纳米的线条，干法刻蚀（如反应离子刻蚀 RIE）可通过控制离子轰击方向，确保刻蚀图形垂直，同时通过气体配比调控选择性，避免损伤衬底。

4.2 基于反应介质成分的调整策略

通过优化反应气体或溶液的成分与配比，增强对目标材料的刻蚀能力，同时抑制非目标材料的刻蚀，具体策略如下：

• 干法刻蚀气体调整：
• 增加钝化气体比例：若需提升目标材料与衬底（如硅与氧化硅）的选择性，可增加 CHF₃、C₂F₆等钝化气体的比例，促进非目标材料表面形成碳氟聚合物钝化层，降低其刻蚀速率。例如，在硅的深槽刻蚀中，CHF₃的比例从 10% 提升至 20%，硅与氧化硅的选择性可从 50:1 提升至 100:1 以上。
• 选择针对性活性气体：根据目标材料的化学特性选择活性气体，例如，刻蚀金属（铝、铜）时优先选择氯基气体（Cl₂、BCl₃），刻蚀硅或二氧化硅时优先选择氟基气体（CF₄、SF₆），刻蚀有机材料（光刻胶、聚合物）时优先选择氧基气体（O₂），通过增强目标材料与活性气体的反应活性，提升选择性。
• 湿法刻蚀溶液调整：
• 添加缓蚀剂：在金属湿法刻蚀中，添加缓蚀剂（如 BTA、硫脲），通过在金属表面形成吸附膜，减缓金属的刻蚀速率，同时不影响非目标材料（如光刻胶），从而提升选择性。例如，在铜的硝酸刻蚀溶液中添加 0.1% 的 BTA，铜与光刻胶的选择性可提升 3-5 倍。
• 调整溶液浓度与 pH 值：根据材料的反应特性调整溶液浓度，例如，在 SiO₂的 HF 刻蚀中，HF 浓度从 5% 提升至 10%，SiO₂的刻蚀速率显著增加，而 Si 的刻蚀速率变化较小，因此选择性提升；对于碱性刻蚀溶液（如 KOH 刻蚀硅），调整 pH 值可改变硅的各向异性刻蚀程度，同时影响与氧化层的选择性。

4.3 基于工艺参数的精细调控策略

在确定工艺类型与介质成分后，通过精细调整工艺参数，优化不同材料的刻蚀速率差异：

• 干法刻蚀参数调控：
• 偏压功率的适度控制：对于目标材料硬度高于非目标材料的场景（如硅与光刻胶），适当提升偏压功率（如从 50 W 提升至 100 W），增强离子对目标材料的物理轰击，提升其刻蚀速率，同时非目标材料（光刻胶）因硬度低，刻蚀速率提升有限，从而提升选择性；若目标材料硬度低于非目标材料（如金属与氧化硅），则需降低偏压功率，避免非目标材料被过度轰击。
• 反应压力的优化：在铝的干法刻蚀中，将反应压力从 10 mTorr 降至 2 mTorr，离子的平均自由程增加，轰击能量增强，铝的刻蚀速率提升，而光刻胶的刻蚀速率下降，选择性提升；在硅的刻蚀中，适当升高压力（如从 5 mTorr 升至 15 mTorr），可增加钝化气体的吸附，提升硅与氧化硅的选择性。
• 温度的精准控制：在光刻胶掩膜的刻蚀中，将温度控制在 20-30℃，避免光刻胶软化或碳化，降低其刻蚀速率；在某些金属刻蚀中（如钨刻蚀），将温度升高至 50℃，可提升钨与二氧化硅的反应速率差异，选择性提升。
• 湿法刻蚀参数调控：
• 温度的梯度调整：在 SiO₂的 HF 刻蚀中，将温度从 25℃升至 40℃，SiO₂的刻蚀速率从 10 nm/min 提升至 30 nm/min，而 Si 的刻蚀速率从 0.01 nm/min 提升至 0.02 nm/min，选择性从 1000:1 提升至 1500:1；但温度过高（如超过 50℃）可能导致 HF 挥发加快，溶液浓度不稳定，因此需根据实际需求设定梯度温度。
• 搅拌速率的适度提升：在湿法刻蚀中，将搅拌速率从 50 rpm 提升至 150 rpm，可加快反应产物的脱附，提升目标材料的刻蚀速率，同时对非目标材料的影响较小，可轻微提升选择性，但搅拌速率过高（如超过 200 rpm）可能导致溶液飞溅，影响刻蚀均匀性，因此需控制在合理范围。

4.4 基于材料预处理的辅助策略

通过对目标材料或非目标材料进行预处理，改变其表面特性，增强刻蚀过程中的 “材料区分度”，从而提升选择性：

• 非目标材料的表面钝化：在刻蚀前，对非目标材料（如衬底、掩膜层）进行钝化处理，形成保护层。例如，在硅刻蚀前，通过等离子体处理在氧化硅衬底表面沉积一层薄的碳氟聚合物钝化层，刻蚀过程中该钝化层可抑制氧化硅的刻蚀，提升硅与氧化硅的选择性；在金属刻蚀前，对光刻胶掩膜层进行紫外固化处理，增强其抗刻蚀能力，降低刻蚀速率。
• 目标材料的表面活化：通过预处理增强目标材料的反应活性，提升其刻蚀速率。例如，在铝刻蚀前，通过氩等离子体轰击铝表面，去除表面氧化层，同时使铝表面粗糙化，增加与活性气体的接触面积，提升铝的刻蚀速率，从而提升铝与光刻胶的选择性；在硅刻蚀前，通过 HF 溶液处理硅表面，去除天然氧化层，使硅表面暴露，增强与氟自由基的反应活性。
• 材料纯度的提升：目标材料或非目标材料中的杂质可能会改变其刻蚀速率，影响选择性。例如，硅片中若含有较多的硼、磷等掺杂离子，可能会加快硅的刻蚀速率，降低与氧化硅的选择性；因此，在刻蚀前需确保材料纯度符合工艺要求，避免杂质对选择性的干扰。

五、刻蚀选择性在电子制造关键场景中的应用

刻蚀选择性的调控在电子制造的多个关键场景中发挥着核心作用，不同场景对选择性的要求不同，需结合具体需求制定针对性的工艺方案，以下为三个典型应用场景的详细描述：

5.1 芯片制造中的栅极刻蚀

在芯片（如逻辑芯片、存储芯片）的制造中，栅极结构（通常为多晶硅或金属栅极）的刻蚀精度直接决定了器件的开关速度与漏电率，需重点控制 “栅极材料与栅介质层（如 SiO₂、HfO₂）” 及 “栅极材料与光刻胶” 的选择性：

• 选择性要求：栅极刻蚀需形成宽度为几十纳米（如 7 nm、5 nm 工艺节点）的线条，且需避免刻蚀过程中损伤下方的栅介质层（厚度通常仅几纳米），因此要求栅极材料与栅介质层的选择性不低于 50:1，与光刻胶的选择性不低于 20:1。
• 工艺方案：采用干法刻蚀（如 RIE），以 Cl₂/BCl₃为活性气体（针对多晶硅栅极），加入适量的 N₂作为稀释气体，控制偏压功率在 80-120 W，反应压力在 3-5 mTorr，温度在 25-30℃。其中，BCl₃可与多晶硅表面的氧化层反应，去除氧化层，增强多晶硅的刻蚀活性；Cl₂与多晶硅反应生成易挥发的 SiCl₄，实现快速刻蚀；同时，低压力与适度偏压确保离子轰击方向垂直，减少侧蚀，且栅介质层（如 HfO₂）与 Cl₂的反应活性低，刻蚀速率慢，从而实现高选择性。

5.2 PCB 制造中的金属布线刻蚀

PCB 作为电子设备的 “神经中枢”，其金属布线（通常为铜）的刻蚀需确保线条清晰、无毛刺，同时避免损伤基板（如 FR-4 环氧树脂基板）与阻焊层，需重点控制 “铜与基板” 及 “铜与阻焊层” 的选择性：

• 选择性要求：PCB 布线的线宽通常为几十微米至几百微米，刻蚀后需确保基板表面无铜残留，阻焊层无破损，因此要求铜与基板的选择性不低于 100:1，与阻焊层的选择性不低于 50:1。
• 工艺方案：采用湿法刻蚀，以硫酸 – 过氧化氢 – 水（H₂SO₄-H₂O₂-H₂O）混合溶液为刻蚀液，其中 H₂O₂为氧化剂，将 Cu 氧化为 Cu²+，H₂SO₄提供酸性环境，促进 Cu²+ 溶解（生成 CuSO₄）。为提升选择性，加入适量的缓蚀剂（如 BTA），在铜表面形成吸附膜，减缓铜的刻蚀速率，同时 BTA 不与基板或阻焊层反应，因此可降低基板与阻焊层的刻蚀速率；刻蚀温度控制在 30-40℃，搅拌速率为 100-150 rpm，确保刻蚀均匀且选择性稳定。

5.3 MEMS 器件中的硅通孔（TSV）刻蚀

MEMS 器件（如传感器、微执行器）中的 TSV 用于实现芯片的垂直互连，需刻蚀深度为几百微米至几毫米的通孔，且需停止在下方的金属层或绝缘层上，需重点控制 “硅与金属层 / 绝缘层” 及 “硅与掩膜层（如光刻胶、SiO₂）” 的选择性：

• 选择性要求：TSV 的深宽比通常大于 10:1，刻蚀后需确保通孔底部平整，无过度刻蚀导致的金属层损伤，因此要求硅与金属层 / 绝缘层的选择性不低于 200:1，与掩膜层的选择性不低于 100:1。
• 工艺方案：采用深反应离子刻蚀（DRIE），以 SF₆为刻蚀气体（与硅反应生成易挥发的 SiF₄），C₄F₈为钝化气体（在通孔侧壁与底部形成碳氟聚合物钝化层），通过 “刻蚀 – 钝化” 交替循环的方式实现深孔刻蚀。在刻蚀阶段，SF₆等离子体中的 F・与硅反应，实现硅的刻蚀；在钝化阶段，C₄F₈分解生成的 CFₓ聚合物沉积在通孔表面，形成钝化层；通过控制刻蚀与钝化的时间比例（如刻蚀 2 秒、钝化 1 秒），确保通孔垂直且侧壁光滑；同时，底部的金属层 / 绝缘层与 SF₆的反应活性低，刻蚀速率慢，掩膜层（如 SiO₂）在钝化阶段会形成更厚的聚合物层，进一步降低刻蚀速率，从而实现高选择性。