三菱电机公司日前宣布，将在截至2026年3月的五年内将之前宣布的投资计划翻一番，达到约 2600 亿日元，主要用于建设新的晶圆厂，以增加碳化硅 (SiC) 功率半导体的生产。日媒指出，藉由上述增产投资，2026年度时，三菱电机SiC晶圆产能将扩增至2022年度的约5倍水平。
根据该计划，三菱电机预计将响应快速增长的电动汽车 SiC 功率半导体需求，并扩大新应用市场，例如低能量损耗、高温运行或高速开关等。该计划还将使三菱电机能够为全球节能和脱碳的绿色转型趋势做出贡献。
新增投资的主要部分，约 1000 亿日元，将用于建设新的 8 英寸 SiC 晶圆厂和增强相关生产设施。新工厂将合并熊本县酒酒井地区的自有设施，将生产大直径8英寸SiC晶圆，引入具有最先进能源效率和高水平自动化生产效率的无尘室。此外，该公司还将加强其 6 英寸 SiC 晶圆的生产设施，以满足该领域不断增长的需求。
此外，三菱电机将新投资约 100 亿日元用于新工厂，该工厂将整合目前分散在福冈地区的现有业务，用于功率半导体的组装和检查。集设计、开发、生产技术验证于一体，将大大提升公司的开发能力，便于及时量产以响应市场需求。剩余的 200 亿日元全部为新投资，将用于设备改进、环境安排和相关运营。
三菱电机2010年开始量产碳化硅功率半导体。三菱电机提出到2025年度将功率半导体销售额提高到2400亿日元、比2021年度增长34％的目标。营业利润率的目标是达到10％。
审核编辑 ：李倩
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